三星23日展出了全球首颗64GB NAND闪存芯片

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    三星电子23日发布了一款自称为全球容量最大的闪存芯片，可用于生产存储80部DVD电影的大容量存储卡。
    三星今天在韩国宣布，其已开发出，是“闪存发展史上的一次飞跃”。单颗芯片达到64GB后，只需16颗这种芯片就可以生产128GB的大容量存储卡，可以存储80部DVD电影或者3.2万首MP3。该芯片首次采用更为先进的30纳米技术，目前，三星大部分闪存芯片均采用40纳米工艺生产。
    三星投资者关系部门高级经理Kwon Hyosun表示，“这是全球存储容量最大的单颗存储芯片。”
    三星透露，该芯片将于2009年量产，有望在2011年前创造200亿美元的市场规模，为手机、数码相机和MP3播放器提供更为丰富的多媒体应用。
---新华网   2007-10-25

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三星推出大容量闪存模块，有望替换传统硬盘
    上网时间:2005年05月30日 
    三星电子日前宣布，已经开发出采用NAND闪存芯片的内存模块，有望替换当前计算机中硬盘等磁性存储介质。
    这种替代硬盘驱动器(HDD)的固态驱动器(SSD)具有硬盘风格的接口。三星电子表示，已开发出2.5英寸的SSD模块，配有16个容量为4Gb或者8Gb的NAND闪存芯片，分别提供8GB和16GB存储容量。该公司指出，将于今年晚些时候推出容量为4GB或者8GB的1.8英寸SSD产品。
    三星表示，闪存作为存储器件较HDD具有多项明显优势，闪存模块的功耗不到硬盘的5%，而且基于NAND闪存的SSD器件的重量不到相同尺寸的硬盘的一半。SSD模块读取数据率为57MB/s，写数据速率为32MB/s，比硬盘的速度快大约150%。而且，SSD内存没有移动的部件，因而消除了噪音和发热。